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Sandisk presenta celle di memoria flash a 32nm

Hardware: gama 12 Febbraio 09 @ 18:00 pm

Grazie all´architettura X3 è possibile ora immagazzinare ancora più dati in una cella di memoria

Durante l´attuale edizione della International Solid State Circuits Conference che si sta tenendo in questi giorni a San Francisco, California, SanDisk Corporation e Toshiba Corporation hanno annunciato lo sviluppo congiunto di una memoria flash NAND MLC (Multi-Level Cell) basata su tecnologia produttiva a 32 nanometri grazie alla quale è stato possibile realizzare un chip di memoria da 3-bit per ogni cella (X3) con capacità di ben 32 gigabit.

Grazie a questa novità, sarà possibile costruire schede di memoria e dischi SSD (Solid State Drive) dalla capacità molto più elevata che in passato mantenendo inalterati i livelli di performance attuali...

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