AMD-IBM: innovativa tecnologia per produzione semiconduttori

La nuova tecnologia consente di migliorare le prestazioni dei processori single-core e multiple-core e contenere il consumo di energia.
AMD e IBM hanno annunciato lo sviluppo di una nuova e migliorata tecnologia strained silicon per transistor, che migliorerà le prestazioni dei processori e ridurrà il livello di consumo.

Il risultato è un incremento pari a oltre il 24% nella velocità del transistor, pur mantenendo gli stessi consumi energetici, se confrontato con transistor simili ma non dotati di questo tipo di tecnologia.

Transistor più veloci ed efficienti sono fondamentali per migliorare le prestazioni di processori ad alte prestazioni e basso consumo. Più le dimensioni dei transitor si riducono, più questi lavorano velocemente; ma aumenta anche la potenza dissipata a causa delle dispersioni elettriche o di uno switching inefficiente.

La tecnologia strained silicon, sviluppata congiuntamente da AMD e IBM, risolve queste problematiche. Questo processo rende AMD e IBM le prime aziende a introdurre la tecnologia strained silicon su silicon-on-insulator (SOI), creando ulteriori benefici sia in termini di risparmio energetico che di prestazioni.

Amd prevede di integrare gradualmente la nuova tecnologia strained silicon in tutti i processori a 90nm, compresi i processori dual-core AMD64, entro la prima metà del 2005.

Il nuovo processo, denominato ‘Dual Stress Liner’, aumenta le prestazioni di entrambi i tipi di transistor per semiconduttori, denominati n-channel e p-channel, attraverso l’allungamento degli atomi del silicio nei transistor n-channel e la compressione degli atomi del silicio nei transistor p-channel. La tecnologia ‘Dual Stress Liner’ funziona senza l’introduzione di nuove tecniche produttive, consentendo una rapida integrazione nella produzione in volumi utilizzando strumenti e materiali standard.

I ricercatori di AMD e IBM sono stati i primi ad aumentare le performance di entrambe le tipologie di transistor dei semiconduttori, utilizzando materiali convenzionali.

IBM e AMD lavorano insieme allo sviluppo della prossima generazione di tecnologie di produzione dei semiconduttori fino dal gennaio del 2003.

News tratta da Itportal.it